بهبود برآورد ضخامت لایه های نازک در حوزه کوفرنسی
Authors
abstract
در لرزه شناسی تهیه یک مقطع لرزه ای با قدرت تفکیک زیاد همواره یکی از اهداف پردازشگران و مفسران است و برآورد ضخامت لایه ها، به خصوص لایه های نازک یکی از ابزارهای مهم برای رسیدن به این هدف است. لایه های نازک موجب می شوند تا قله ها و شکاف های متناوبی در طیف دامنه ردلرزه تولید شود. در روش تجزیه طیفی که مرسوم ترین روش است، بسامد مربوط به اولین قله در طیف دامنه ردلرزه دو برابر می شود تا زمان تناوب شکاف های تولید شده به دست آید که برابر با عکس ضخامت لایه نازک است (آنستی، 1977). در این تحقیق، نمونه ای از روش تجزیه طیفی به نام تجزیه کپسترال به کار رفته است. روش تجزیه کپسترال می تواند با دقت خوبی فاصله بین شکاف های تولید شده در طیف دامنه را به کمک محاسبه تبدیل فوریه از لگاریتم طیف دامنه ردلرزه به دست آورد. در این تحقیق روش تجزیه کپسترال را روی مدل های متفاوت, اِعمال و نتایج آن را با روش های برآورد ضخامت از راه تجزیه طیفی و همچنین برآورد ضخامت به روش اندازه گیری اختلاف زمانی بین رویدادهای لرزه ای مقایسه می کنیم. نتیجه نشان می دهد که روش تجزیه کپسترال این توانایی را دارد که دقت برآورد ضخامت لایه های نازک را به شکل قابل ملاحظه ای بهبود بخشد.
similar resources
بهبود برآورد ضخامت لایههای نازک در حوزه کوفرنسی
در لرزهشناسی تهیه یک مقطع لرزهای با قدرت تفکیک زیاد همواره یکی از اهداف پردازشگران و مفسران است و برآورد ضخامت لایهها، بهخصوص لایههای نازک یکی از ابزارهای مهم برای رسیدن به این هدف است. لایههای نازک موجب میشوند تا قلهها و شکافهای متناوبی در طیف دامنه ردلرزه تولید شود. در روش تجزیه طیفی که مرسومترین روش است، بسامد مربوط به اولین قله در طیف دامنه ردلرزه دو برابر میشود تا زمان تناوب شکا...
full textاندازه گیری ضخامت شکست لایه های نازک
در این رساله نخست تاریخچه تهیه لایه نازک ، چگونگی تهیه و روشهای مختلف همچنین شرایط لایه گذاری ذکر گردیده سپس چگونگی آماده سازی زیر لایه و شرایط لازم برای لایه نشانی آمده است . در ادامه راههای مختلف اندازه گیری ضخامت و همچنین دقت روشهای مختلف اندازه گیری بیان شده است . در قسمت کارهای عملی و تحقیقات انجام شده سیستمهای لایه گذاری مورد استفاده به همراه شمای اپتیکی دستگاه نشان داده شده است . در این ...
15 صفحه اولاندازه گیری پویش آزاد میانگین الکترون در لایه های نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu از طریق مطالعه بستگی مقاومت الکتریکی به ضخامت لایه ها
در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...
full textبررسی اثر ضخامت لایه های نازک بسبلوریsno۲ در حسگری گازهای o۲ و co۲
در این تحقیق سه نمونه از لایه های نازک اکسید قلع خالص را که به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده اند مورد مطالعه قرار دادیم. اینها به عنوان حسگر گازهای اکسیژن و دی اکسیدکربن استفاده می شوند. طیف عبوری لایه ها حاکی از نازکی لایه ها در محدوده نانومتری (nm 200-150)، و طیف xrd نشانگر تغییر سمتگیری بسبلوری از (200) به (110) می باشد که این تغییر سمت گیری بلوری به دلیل تغییر ضخام...
full textتاثیر ضخامت بذر لایه بر آبگریزی نانومیله های ZnO
امروزه نانومیلههای اکسید روی بدلیل کاربردهای متعدد در صنایع مختلف از جمله سلولهای خورشیدی، ابزارهای گسیل نور، کاتالیستها، سنسورهای گازی، انواع نانوحسگرها و سطوح فوق آبگریز توجهات زیادی را به خود اختصاص داده است. در این پژوهش ابتدا بر روی شیشه سودالایم توسط روش سل- ژل از طریق پوششدهی چرخشی با سرعت rpm 4000 لایه نازک ZnO با ضخامتهای 50، 150 و 300 نانومتر پوشش دادهشد و پس از آنیل زیرلایهها...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
فیزیک زمین و فضاPublisher: موسسه ژئوفیزیک دانشگاه تهران
ISSN 8647-1025
volume 38
issue 2 2012
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023